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    大拉退火裝置工藝工藝簡介

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    大拉退火裝置工藝工藝簡介

    發布日期:2019-08-29 作者: 點擊:

    大拉退火裝置淬火:往半導體材料中引入殘渣正離子時,高效率能量的入射正離子會與半導體材料晶格常數上的分子撞擊,使某些晶格常數分子產生偏移,結果導致很多的空位,將促使引入區中的分子排序錯亂或是變為為非晶區,因此在離子注入之后務必把半導體材料放到必須的溫度下開展淬火,以修復結晶的構造和清除缺點。一起,淬火也有激話施主和受主殘渣的作用,即把一些處在空隙部位的殘渣分子根據淬火而讓他們進到取代部位。


    RTP(Rapid Thermal Processing)迅速調質處理,是在十分短的時間內將全部硅片加溫至400~1300℃環境濕度范圍之內的這種方式,相對性于爐體淬火,它具備熱費用預算少,硅中殘渣健身運動小,沾污寸和生產加工速度快等特性。


    ● 多種led燈管設計構思以確保溫度勻稱


    ● 即時閉環控制溫控方法


    ● 即時燈絲電流量檢測以確保加工工藝平穩可信性


    ● 安全性檢測,包含熱偶溫度測量檢驗、超溫檢驗、燈絲電流量檢驗


    ● 中英客戶操作面板,應用十分簡變


    ● 手機軟件自動式操縱加工工藝全過程,使用方便,包含客戶等級分類應用管理權限

    大拉退火裝置

    ● 萊單編寫、加工工藝統計數據紀錄/搜索、警報/出錯、客戶情況等作用

    主要用途


    ● 離子注入倒退火/活性


    ● 金屬材料細晶強化,砷化稼電級細晶強化


    ● 磷鋁硅酸鹽夾層玻璃/硼磷夾層玻璃流回


    ● 溝道空氣氧化


    ● 柵物質產生


    ● 多晶硅淬火


    ● 鈦硅化物/硅化物/氮化合物淬火銅銦鎵硒光伏運用中的硒堆積


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    關鍵詞:大拉退火裝置,中大拉退火裝置,中拉退火裝置

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